Китайские учёные создали самую быструю флеш-память в мире
Исследователи из Университета Фудань в Шанхае представили энергонезависимую память нового поколения под названием PoX (Phase-change Oxide). Этот чип способен переключаться со скоростью 400 пикосекунд, что делает его самым быстрым в мире среди аналогичных устройств.
В отличие от традиционных флеш-накопителей, PoX сохраняет данные без питания и обеспечивает сверхбыструю запись и чтение. Благодаря использованию двумерного графена Дирака и технологии 2D суперинжекции, разработчики добились практически неограниченного потока заряда в слой хранения памяти.
Профессор Чжоу Пэн, руководитель проекта, отметил, что команда активно сотрудничает с производственными партнёрами для интеграции новой памяти в смартфоны и компьютеры. Это позволит устранить узкие места в скорости и энергоэффективности при работе с большими объёмами данных.
Ожидается, что технология PoX найдёт применение в устройствах, требующих высокой скорости обработки информации, таких как системы искусственного интеллекта и облачные сервисы.
